半导体纳米异质外延应变研究The Strain Study of nano- heteroepitaxy semiconductor

3997
    


来源:
Licence:
联系:
分类:
平台:
环境:
大小:
更新:
标签:
联系方式 :
免费下载 ×

下载APP,支持永久资源免费下载

限免产品服务请联系qq:1585269081

下载APP
免费下载 ×

下载APP,支持永久资源免费下载

下载APP 免费下载
下载 ×

下载APP,资源永久免费


如果出现不能下载的情况,请联系站长,联系方式在下方。

免费下载 ×

下载论文助手APP,资源永久免费

免费获取

如果你已经登录仍然出现不能下载的情况,请【点击刷新】本页面或者联系站长


 半导体纳米异质外延应变研究[EB/OL]

北京:中国科技论文在线

本文系统阐述了异质外延、位错理论

得到的结果经分析后符合异质外延的应变弛豫机制

研究发现异质外延体系弛豫后

) 摘要: 半导体异质外延研究是半导体科学中的一个重要内容

可以得到弛豫前的应变能等于弛豫后位错能和剩余应变能之和

关键词: 半导体纳米异质外延

系统的能量包含两部分:位错能和剩余应变能

由系统弛豫前后能量守恒

本文通过计算无限大衬底和有限衬底上的小尺寸外延层中的应力分布

【详情见下载】

免费下载 ×

下载APP,支持永久资源免费下载

下载APP 免费下载
温馨提示
请用电脑打开本网页,即可以免费获取你想要的了。
扫描加我微信 ×

演示

×
登录 ×


下载 ×
论文助手网
论文助手,最开放的学术期刊平台
				暂无来源信息			 
回复
来来来,吐槽点啥吧

作者联系方式

×

向作者索要->