全氧化锌纳米线结构的TFT和场发射器件研究All ZNO nanowires based thin-film transistor and active field-emission devices

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尽管通过薄膜晶体管驱动的有源场发射器件(AM-FED)仍然需要进一步的研究

李驰等

 全氧化锌纳米线结构的TFT和场发射器件研究[EB/OL]

北京:中国科技论文在线

Keywords: thin-film transistor; active-matrix field emission device; ZNO nanowires 下载PDF阅读器 PDF全文下载: 初稿 ( 111 ) 作者简介: 陶治(1988-),男,汉族,东南大学博士研究生,主要研究方向用于驱动QLED的薄膜晶体管方向的研究 通信联系人: 雷威(1967-),男,汉族,东南大学电子科学与工程学院教授,博士生导师,主要研究方向为显示器件的研究和设计 【收录情况】 中国科技论文在线: 陶治

场发射器件利用氧化锌纳米线作为发射端

以氧化锌纳米线作为有源层的薄膜晶体管(TFT)能在较低的栅电压(2

0~3

5V)下工作

在驱动三级栅网结构的场发射器件(FED)上的研究

该晶体管对具有栅电压较高的(约为75V)的场发射器件进行调制

有源场发射器件

) 摘要: 本文论述了采用水热法生长的氧化锌纳米线作为有源层置于二氧化硅/N型掺杂硅衬底上的薄膜晶体管

雷威 *

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