AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
沟道中二维电子气电子的屏蔽效应及费米能级附近电子的速率均对极化库仑场散射产生影响
研究了极化库仑场散射的影响因素
（ 1、 山东大学物理学院,济南 250100
2、 山东大学物理学院,济南 250100
通信联系人： 林兆军(1962-)
二维电子气 Liu Yan 1,
山东临沂人,在读博士,GaN基电子器件的变温研究
AlGaN/AlN/GaN HFETs 中极化库仑场散射的影响因素Influence factors on Polarization Coulomb Field scattering in AlGaN/AlN/GaN HFETs
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