厚膜SOI材料顶层硅过渡区减薄方法[EB/OL]
北京:中国科技论文在线
利用旋转腐蚀方法对过渡区进行减薄
) 摘要: 本文介绍了厚膜绝缘层上硅材料(SOI)的一种新型制备工艺方法
并分析该制备方法中外延层过渡区问题
并提出利用传统化学机械抛光方法进行减薄
外延层过渡区
2、 上海新傲科技股份有限公司
上海 201821
进而制备出顶层硅电阻率符合要求的厚膜SOI材料
通信联系人: 【收录情况】 中国科技论文在线: 王文宇
【详情见下载】厚膜SOI材料顶层硅过渡区减薄方法[EB/OL]
) 摘要: 本文介绍了厚膜绝缘层上硅材料(SOI)的一种新型制备工艺方法
进而制备出顶层硅电阻率符合要求的厚膜SOI材料
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