铪基高k栅介质纳米MOSFET栅电流模拟分析Simulation and Analysis of Gate Current Through Hf-based High-k Structures for nanoscale MOSFETs

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) 摘要: 运用一种量子模型研究铪基高k栅介质纳米MOSFET栅隧穿电流

顾宁

 铪基高k栅介质纳米MOSFET栅电流模拟分析[EB/OL]

北京:中国科技论文在线

研究了铪基高k介质中氮、铪和铝等元素含量及界面层对栅极电流的影响

运用该方法计算了各种铪基高k介质材料和结构的MOSFET栅极电流, 并进行了分析比较

对栅电流中的三维电流成分用行波统一地计算热发射电流、通过介质势垒的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿电流

直接隧穿电流

孙建平

孙建平

Gu Ning 2,* ( 1、 Southest university

2、 Southest University

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