关键词： 聚噻吩, 循环伏安, 电子亲合能, 电离能, 带隙能 Wang Xuemei
可有效提高共聚物电子亲合能（Ea）
石晨等
新型p-/n-交替3-烷基噻吩共聚物的合成及其光电性质的研究[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
） 摘要： 通过Heck偶合法合成了四种新型p-/n-交替3-烷基噻吩共聚物：聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-噁二唑) (P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-噁二唑) (P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶) (P3HT-Py)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶) (P3OT-Py)
P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0
19eV
对提高电子传输能力
而在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的噁二唑单元
P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0
