在1000 ℃时薄膜的电输运过程主要为晶体硅的扩展态电导
徐俊等
不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
研究结果表明：退火温度为700 ℃时,样品中开始有纳米晶形成
使薄膜由非晶结构向晶化结构转变
得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜
同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响
） 摘要： 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜
不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质The study on electric transport in crystallized silicon films under various annealing temperature
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