通过实验分析：修改芯片的版图设计改变双重栅极光刻(Dual Gate Photo)的光阻边缘与浅沟道(Shallow Trench Isolation)边缘之间的距离
当双重栅极光刻(Dual Gate Photo)的光阻边缘与浅沟道(Shallow Trench Isolation)边缘之间的距离在0
3--0
4微米范围时
在制造工艺上就需要一道双重栅极光刻(Dual Gate Photo)与湿法蚀刻(Wet Etch)制程来完成
由于光在浅沟道内的反射会对栅极氧化层上覆盖的光阻产生曝光效果从而造成在湿法蚀刻时对氧化层的腐蚀
通信联系人： 何卫锋 男 上海交通大学硕士生导师
* （ 1、 上海交通大学微电子学院
2005 ～ 2006 年期间在香港科技大学从事博士后研究工作
何卫锋
浅沟道光反射造成栅氧化层腐蚀问题分析与措施[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
2、 中芯国际集成电路制造有限公司,上海 200032
） 摘要： 本文介绍了在现代CMOS器件制造工艺中
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