在65nm CMOS 混合信号工艺下设计了一个k 波段低噪声放大器
闫娜
基于CMOS 65nm工艺的k-band低噪声放大器设计[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
） 摘要： 本论文提出了一种可以实现最低噪声系数的k波段（18-26
5 GHz）LNA 的设计方法
Yan Na 2,* （ 1、 ASIC & System State Key Laboratory, Fudan University, ShangHai 201203
2、 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室
* （ 1、 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室
测试出的最低噪声系数（NF）为3
4 dB
该LNA工作在22
45 GHz时可以20
46 dB的增益
低噪声放大器
2、 ASIC & System State Key Laboratory, Fudan University
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