化学研磨和机械研磨的比重对于硅片表面Haze值有较大影响
通过改变化学机械研磨的一些重要工艺参数（如：压力和相对转速）来获得不同的硅片表面状态
化学机械研磨对于硅片表面的粗糙度具有逐渐改善的作用
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化学机械研磨对硅片表面Haze值的影响[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
在对单晶硅片进行化学机械研磨的过程中
硅片表面Haze值是描述硅片表面粗糙度的一个重要参数
化学机械研磨对硅片表面Haze值的影响The influence of wafer surface Haze after Chemical Mechanical Polishing
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