晶圆表面形貌对铜电镀工艺的影响和数学预测[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
（ 1、 上海交通大学微电子学院
2012年在职就读于交通大学微电子学院
同时加入DFM组共同分析晶圆表面形貌对ECP
AH和SH都会随着PD的改变呈现出明显的趋势：当线宽较窄 (LW<0
3um)时,AH和SH都会随着PD上升呈抛物线趋势上升
铜的填充效果不仅决定于ECP制程本身的工艺控制
晶圆表面形貌对铜电镀工艺的影响和数学预测Characterization and simulation of pattern-dependency in ECP topography
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