研究界面电荷对GaN共振隧穿二极管隧穿特性的影响[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
） 摘要： 本文采用非平衡格林函数方法研究了低温下界面电荷对Al0
15Ga0
85N/GaN/Al0
15Ga0
85N共振隧穿二极管的I-V性能的影响
共振隧穿二极管的I-V曲线峰谷比（PVR）在一定的界面电荷浓度范围内得到最大值
研究发现：共振隧穿能级及电压峰位随着界面电荷浓度的提高而增加
共振隧穿二极管
右侧负界面电荷对器件隧穿性能的影响更大
） Abstract： We have investigated the dependence of tunneling properties on the interface charge in GaN resonant tunneling diode (RTD) by the nonequilibrium Green’s function method
In Al0
15Ga0
85N/GaN/Al0
15Ga0
85N resonant tunneling structures, resonant levels and resonant peaks increase with the increasing concentrations of the interface charge
Compared to the positive charge, the negative charge in the right sides of the quantum well makes greater impact on the tunneling properties
Furthermore, the peak valley ratio(PVR) of I-V curve can have optimum value in a certain concentration range
Keywords： interface charge;resonant tunneling diode;I-V 下载PDF阅读器 PDF全文下载： 初稿 （ 391 ） 作者简介： 通信联系人： 【收录情况】 中国科技论文在线： 张红英
