倒置结构的量子点发光二极管在发光效率
李驰等
硅基晶圆级倒置发光量子点显示器件[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
we report on the fabrication of wafer-sacle quantum dot light emitting diode devices(QD-LEDs) using inverted device structure with spin-coating technique
In this structure of QD-LEDs , ITO was used as cathod;metal oxide layer(ZNO) was used to provide electron, and AL was used as anode to supply hole
We use CdSe/ZnS quantum dots as emissive layer
Compared with conventional structure, the inverterd device structure exhibits high electroluminescence intensity, high photoelectric conversion rate and optimal performance of integratability
Keywords： quantum dot;inverted device structure;ZNO 下载PDF阅读器 PDF全文下载： 初稿 （ 42 ） 作者简介： 陶治(1988-),男,汉族,东南大学博士研究生,主要研究方向用于驱动QLED的薄膜晶体管方向的研究 通信联系人： 雷威(1967-),男,汉族,东南大学电子科学与工程学院教授,博士生导师,主要研究方向为显示器件的研究和设计 【收录情况】 中国科技论文在线： 陶治
其中利用ITO作为阴极,金属氧化物层（ZNO）提供电子
） 摘要： 本文报导了在二氧化硅晶圆上通过旋涂法制备倒置结构的量子点发光二极管（QD-LEDs）
采用CdSe/ZnS作为量子点发光层
刘向 （ 东南大学电子科学与工程学院,南京 210000
