Si端面β-SiC(001)-(2×1)和-c(2×2)构型及表面附近原子层空位形成能的分子动力学研究[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
） 摘要： 本文采用了Tersoff/ZBL势对Si端面β-SiC(001)-(2×1)和-c(2×2)构型表面的原子结构及表面附近的原子层空位形成能进行了分子动力学（MD）模拟研究
通过此项研究有助于对Si端面β-SiC(001)-(2×1)和-c(2×2)构型及表面附近原子层空位形成能进行了解
在Si端面β-SiC(001)-(2×1)和-c(2×2)构型中表面附近原子在竖直方向经历了不同程度的弛豫
核材料SiC研究 通信联系人： 赵耀林（1976-）
Si端面β-SiC(001)-(2×1)和-c(2×2)重构结构的表面都是键长为0
242 nm的对称性Si二聚体
空位的形成能随着原子层数的增加而趋向于材料体区的空位形成能
