表面活性剂对多孔二氧化硅薄膜的调制：基于慢正电子束的多普勒展宽谱学研究[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
多孔二氧化硅薄膜中的S参数随着表面活性剂含量的增加而逐渐增加
采用基于慢正电子束的正电子湮没多普勒展宽谱学来研究制备的二氧化硅薄膜
表明在更多的表面活性剂下在薄膜中引入了更大的孔
* （ 1、 武汉大学物理科学与技术学院
同一多孔二氧化硅薄膜以垂直于正电子束的平面前后旋转90 放置测量时
HE Chunqing 2,* （ 1、 Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, WuHan 430072
2、 Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072
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