采用傅里叶变换红外光谱、拉曼光谱、掠入射X射线衍射和光致发光光谱对薄膜表征
杨培志
磁控共溅射法沉积的氮化硅基硅量子点薄膜的微结构和发光特性[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
掠入射X射线衍射也证实了硅量子点的晶化特性与脉冲电源功率有关
傅里叶变换红外光谱表明制备出了富硅氮化硅薄膜
YANG Peizhi * （ Key Laboratory of Education Ministry for Advance Technique and Praparation Renewable Energy Materials, Yunnan Normal University, Kunming, 650092
硅量子点的晶化率随溅射功率增加而增加
2、 Key Laboratory of Education Ministry for Advance Technique and Praparation Renewable Energy Materials, Yunnan Normal University, Kunming, 650092
） 摘要： 采用双极脉冲和射频磁控共溅射法在400℃下硅和石英基片上沉积了富硅氮化硅薄膜
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