电沉积Cu(In,Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜及表征Preparation and Characterization of Cu(In,Ga)(Se,S)2 thin films by sulfurization of electrodeposited Cu(In,Ga)Se2 precursors

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 标签： cuh2sliu薄膜退火

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电沉积Cu(In,Ga)Se2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜及表征[EB/OL]

北京：中国科技论文在线

）摘要：在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)预置层

H2S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入

H2S退火还可改善薄膜的结晶性能

H2S退火

制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜

散谱(EDS)、俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射（XRD）和拉曼光谱(RS)对退火前后的薄膜进行表征

Liu Fang-Yang

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H2S退火还可改善薄膜的结晶性能

H2S退火

Liu Fang-Yang

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