硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备Fabrication of radial a-Si:H(P)/c-Si(N) heterojunction on silicon substrate

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 更新：2017-02-09

 标签： hwcvdsilicon硅纳米线结

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对硅纳米线径向pn结进行IV测试

主要研究方向：纳米线径向pn结通信联系人：刘艳红（1968-）

主要研究方向：硅纳米材料的研究【收录情况】中国科技论文在线：孙艳平

从而得到硅纳米线径向a-Si:H(P型)/c-Si(N型)异质结结构

关键词：纳米线; 径向; 热丝化学气相淀积 Sun Yanping

蒋继文

硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备[EB/OL]

在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀

再利用热丝化学气相淀积法（HWCVD）沉积p型非晶硅薄膜

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