功率DMOS的UIS失效机理及改善The Mechanism and Improvment of the UIS Faliure for Power DMOS

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 功率DMOS的UIS失效机理及改善[EB/OL]

北京:中国科技论文在线

) 摘要: 功率DMOS器件是目前应用最为广泛的新型功率器件

Zhang Bo ( State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054

功率DMOS

通信联系人: 【收录情况】 中国科技论文在线: 任敏

主要研究方向为新型功率半导体器件与集成电路

因此抗UIS失效能力是衡量其可靠性的重要指标

本文对功率DMOS的雪崩耐量的测试原理、UIS失效机制、模拟方法和加固措施进行了全面的概述

【详情见下载】

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