基于饱和导通压降的IGBT老化机理分析[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
对IGBT老化过程中最为主要的特性参数饱和导通压降Vce进行了监测
给出了IGBT的饱和导通压降Vce与键合线脱落和焊料层老化两种老化模式之间的关系
基于饱和导通压降的IGBT老化机理分析Analysis of IGBT Aging Mechanism Based on Saturated Conductivity Voltage
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