本文研究了铁电聚合物/SiO2/p-Si电容存储结构的电学疲劳特性
朱国栋
有机铁电电容存储结构的电学疲劳特性研究[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
SiO2层的存在有效改善了电容存储结构的抗疲劳特性
基于铁电聚合物的非易失性存储器的研制引起了越来越多的关注
并与铁电聚合物膜本身的电疲劳特性相比较
关键词： 铁电聚合物
该类存储结构的电学稳定性仍少有报道
由于铁电聚合物柔性、透明、易于制备等优点
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