Co掺杂及空位缺陷对石墨烯-铜复合材料界面结合影响的第一性原理研究[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
研究了替位式掺杂元素Co及C/Cu空位缺陷对石墨烯-铜（Gr-Cu）界面结合性能的的影响
表明Co原子掺杂增进了Cr-Cu界面之间的相互作用
对于含有C/Cu空位缺陷的Gr-Cu界面而言
只是该界面结合的难易度和稳定性均低于Co掺杂的理想界面
理想Gr-Cu界面的结合能为-0
089eV
在制备Co掺杂Gr-Cu复合材料的过程中
Co掺杂及空位缺陷对石墨烯-铜复合材料界面结合影响的第一性原理研究The first principle study of the effect of Co doping and vacancy defect on the interfacial bonding of graphene-copper composites
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