MBE生长的I型GaAsSb/AlGaAs多量子阱结构及其局域态现象研究Localized states emission in type-I GaAsSb/AlGaAs multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy

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 更新：2017-01-25

 标签： emissiongaas0lepl现象

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判断位于低能端发光峰来源于载流子局域化(LE)发光

）摘要：本文通过分子束外延技术生长了GaAs0

92Sb0

载流子局域化现象 GE Xiaotian 1,

MBE生长的I型GaAsSb/AlGaAs多量子阱结构及其局域态现象研究[EB/OL]

并对该样品进行了变温和变激发光致发光(PL)光谱测试

在40K-90K的变温光谱中处现了两个不同来源的发光峰

之后结合载流子动力学对样品中的局域态现象进行了分析

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