2、 电子科技大学光电信息学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验式
（ 1、 成都市电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
Li Wei 2, （ 1、 (Stat Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu
） 摘要： 用等离子体增强化学气相沉积法制备了掺硼氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率和均匀性进行了研究
结果表明,掺硼a-Si:H薄膜的电阻率随硼掺杂比(B2H6/SiH4)的增大而降低,随气体温度的升高逐渐降低,在250℃时随气体温度的升高而升高;掺硼非晶硅薄膜在放电功率为30瓦和40瓦之间均匀性最好
关键词： a-Si:H
李世彬等
掺硼非晶硅薄膜性能研究[EB/OL]
北京：中国科技论文在线
2、 Stat Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China
