GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析Analysis of Electrical Properties of GaAs Substrate-Nanowire P-N Junction

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 更新：2017-01-25

 标签： gaasnanowire研究纳米线结

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GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析[EB/OL]

北京：中国科技论文在线

）摘要：本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性

纳米线的平均生长密度、纳米线的平均直径和纳米线的掺杂浓度对衬底-纳米线型pn结的暗电流和开启电压影响不大

纳米线平均直径和纳米线的掺杂浓度均会导致通过衬底-纳米线型pn结的电流增大

GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性

主要从事III-V族半导体纳米线器件方向的研究【收录情况】中国科技论文在线：陈文丽

主要从事III-V族半导体纳米线器件方向的研究通信联系人：张霞（1973-）

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